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以選擇性區域磊晶法研製高效率1.3微米分布式回授雷射二極體

10 Gb/s)之半導體雷射將是一個很關鍵性的切入點。目前許多的國外研究機構 ... 對於高效率的1.3 微米InGaAsP/InP 系列半導體雷射發展而言，因沒有材料 ... 降低的缺點。

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