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退火温度对ZnO 薄膜晶体管电特性的影响 - 原子力显微镜

其中采用磁控溅射法制备出的有源半导体. 层因能兼顾高迁移率、面积大等优点而被广泛采用． 然而，目前采用ZnO 作溅射靶沉积的ZnO 薄膜普遍. 存在大量的氧穴位，导致ZnO-TFT ...

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