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半导体制造工艺之快速加热退火(RTA)系统 - 电子发烧友

当温度较低时, 掺杂物原子的扩散速度比硅原子的退火快;然而在高温时(超过1000摄氏度)，退火过程比较快些，这是因为退火的活化能(约5 eV)高于扩散的活化能3 ...

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