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半導體缺陷
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用磁共振方法发现SiC缺陷--技术文章频道 - 化合物半导体
宾夕法尼亚州立大学的研究人员表示,电测量磁共振可能会使先进电子器件成为可能。一种研究半导体材料缺陷的新技术可以揭示先进材料在原子级的缺陷, ...
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