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半導體缺陷
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半导体缺陷能级的应力效应 - 物理学报
本文讨论用瞬态方法测量立方半导体缺陷能级应力移动和判别缺陷势对称性的有关问题。对于简并能级Es引入应力下分裂平均值Es,它具有原哈密顿群对称操作不变性, ...
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