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[討論] 黃光蝕刻薄膜擴散製程哪個壓力最大PTT推薦- Tech_Job

CMP製程(化學機械研磨)：使不光滑薄膜表面平坦後段製程目的：將前段完成的矽晶圓板切割為LSI 9F→ysy半導體四大製程黃光(微影) 蝕刻薄膜擴散. ... 原理同"擴散"篇【4】結論 ...

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