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TWI489561B - 半導體裝置及其形成方法 - Google Patents

據信導致閾值電壓減少的一機構是阱摻雜物種(well dopant species)在半導體鰭片104角落的離析(segregation)及外擴散(out-diffusion)增加。此外，如上所述，由出於半導體 ...

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