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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 175 頁 - Google 圖書結果

(2)參照示意圖 5-8,為了儘量避免汲極端接面的空乏寬度由於 VD 的增加而增加後進而「扯低」源極端接面的能障高度,根據公式(2.12)可知需要使用較濃的基板摻雜濃度。

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