[爆卦]半導體摻雜方式是什麼?優點缺點精華區懶人包

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在 半導體摻雜方式產品中有3篇Facebook貼文,粉絲數超過1萬的網紅大詩人的寂寞投資筆記,也在其Facebook貼文中提到, 投資一定要知道的矽歷史 「對於矽谷發展歷史有興趣的臉友們可以參考浪潮之巔 號稱IT版史紀 http://www.books.com.tw/products/0010541187」 矽谷的矽 矽谷的矽和Bob Noyce的關係很大。1948年,電晶體(transistor)發明的那...

  • 半導體摻雜方式 在 大詩人的寂寞投資筆記 Facebook 的最佳解答

    2017-10-04 19:07:23
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    投資一定要知道的矽歷史

    「對於矽谷發展歷史有興趣的臉友們可以參考浪潮之巔
    號稱IT版史紀
    http://www.books.com.tw/products/0010541187」

    矽谷的矽

    矽谷的矽和Bob Noyce的關係很大。1948年,電晶體(transistor)發明的那一年,Bob Noyce在Grinnell College辦派對出事了,他偷了農夫的豬作烤乳豬,農家要法辦他。幸虧物理系教授Grant Gale力保他,他僅僅被停學一學期。Gale在Bob Noyce人生的道路上幫忙,不僅這事。Gale的大學同學John Bardeen,在貝爾實驗室和Walter Brattain剛剛發明了電晶體,Gale很有興趣,向同學要了兩條,這世上最新的發明品。所以Noyce雖然在前不著村、後不著店的愛荷華的玉米田中間唸大學,他反而有機會接觸到剛發明的半導體。後來,Noyce復學,順利從Grinnell畢業,進到麻省理工唸博士,麻省那時雖然是理工重鎮,但在固態電子的研究,還不如Grinnell。

    我常想,我們當老師的,能碰上Bob Noyce這樣的學生,那是天上掉下來的禮物。但這禮物,能不能在我們手上大放異彩,也真是個考驗。Gale教出了Bob Noyce,Bob Noyce回報給Grinnell的不是百倍、千倍,而是無法計數的財富。Noyce創辦英特爾的時候,他已經在Grinnell當董事一陣子,管投資的董事知道他要創業,求他讓Grinnell投資。Grinnell原始的三十萬美元投資,最後變成了數億美元的巨大資產。我常和學生說,「我們學校和Grinnell的差別,只差一個Bob Noyce,希望你們之中,會出一個Bob Noyce」,我們就會是愛荷華的哈佛了。

    閒話別過。

    1953年,Noyce從麻省拿到博士,在費城的公司研究電晶體。貝爾實驗室發明的電晶體,是無意間在鍺裡面摻雜質,這東西居然就變成「半導體」,電通這頭,它就導電,電通那頭,它就不導電。這「半導物質」在電路設計上很有用,可以取代當時的半導物質-真空管。因為可以取代耗電、高熱、易壞的真空管,電晶體才發明沒幾年,很多大公司就急著跳入研發、生產,也有很多新創公司開始做電晶體。新創公司的創業者中最有名的,就是和Bardeen、Brattain一齊發明電晶體,日後一起得到諾貝爾獎的William Shockley。Shockley離開貝爾實驗室後,回到北加州的老家,創立Shockley Semiconductor Lab,靠著他的名聲,吸引了許多年輕、博士級的工程師加入他的行列。

    1956年,Noyce用他一貫的自信,僅憑電話裡和Shockley的短暫交談,就舉家從費城搬到加州,也簽約買了房,才硬要Shockley給他份工作。在Shockley的「博士勞工」裡,Noyce還是一樣出色,不但研究成果亮眼,他還展露出管理的天份。但Shockley不是一個好相處的人,頂著諾貝爾的光環,他不但瞧不起他的屬下,還引進了新奇而怪異的管理方式,比如說同僚評比工作績效,還有用測謊機對付員工。因此,有許多年輕的Shockley員工,早打算另謀高就。以Gordon Moore為首的七個工程師,打算自立門戶,但他們都沒有管理的經驗,於是找上Bob Noyce,這全公司最像經理的年輕工程師。

    這八人,就是矽谷有名的「八個叛徒Traitorous Eight」,他們成立了Fairchild Semiconductor。我們可以說,是Fairchild把矽放在矽谷裡的,因為日後從Fairchild出身的子子孫孫(Fairchildren)共同打造了北加州這片創業樂土。

    待續。

  • 半導體摻雜方式 在 普通人的自由主義 Facebook 的最讚貼文

    2017-10-04 06:24:38
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    矽谷的矽

    矽谷的矽和Bob Noyce的關係很大。1948年,電晶體(transistor)發明的那一年,Bob Noyce在Grinnell College辦派對出事了,他偷了農夫的豬作烤乳豬,農家要法辦他。幸虧物理系教授Grant Gale力保他,他僅僅被停學一學期。Gale在Bob Noyce人生的道路上幫忙,不僅這事。Gale的大學同學John Bardeen,在貝爾實驗室和Walter Brattain剛剛發明了電晶體,Gale很有興趣,向同學要了兩條,這世上最新的發明品。所以Noyce雖然在前不著村、後不著店的愛荷華的玉米田中間唸大學,他反而有機會接觸到剛發明的半導體。後來,Noyce復學,順利從Grinnell畢業,進到麻省理工唸博士,麻省那時雖然是理工重鎮,但在固態電子的研究,還不如Grinnell。

    我常想,我們當老師的,能碰上Bob Noyce這樣的學生,那是天上掉下來的禮物。但這禮物,能不能在我們手上大放異彩,也真是個考驗。Gale教出了Bob Noyce,Bob Noyce回報給Grinnell的不是百倍、千倍,而是無法計數的財富。Noyce創辦英特爾的時候,他已經在Grinnell當董事一陣子,管投資的董事知道他要創業,求他讓Grinnell投資。Grinnell原始的三十萬美元投資,最後變成了數億美元的巨大資產。我常和學生說,「我們學校和Grinnell的差別,只差一個Bob Noyce,希望你們之中,會出一個Bob Noyce」,我們就會是愛荷華的哈佛了。

    閒話別過。

    1953年,Noyce從麻省拿到博士,在費城的公司研究電晶體。貝爾實驗室發明的電晶體,是無意間在鍺裡面摻雜質,這東西居然就變成「半導體」,電通這頭,它就導電,電通那頭,它就不導電。這「半導物質」在電路設計上很有用,可以取代當時的半導物質-真空管。因為可以取代耗電、高熱、易壞的真空管,電晶體才發明沒幾年,很多大公司就急著跳入研發、生產,也有很多新創公司開始做電晶體。新創公司的創業者中最有名的,就是和Bardeen、Brattain一齊發明電晶體,日後一起得到諾貝爾獎的William Shockley。Shockley離開貝爾實驗室後,回到北加州的老家,創立Shockley Semiconductor Lab,靠著他的名聲,吸引了許多年輕、博士級的工程師加入他的行列。

    1956年,Noyce用他一貫的自信,僅憑電話裡和Shockley的短暫交談,就舉家從費城搬到加州,也簽約買了房,才硬要Shockley給他份工作。在Shockley的「博士勞工」裡,Noyce還是一樣出色,不但研究成果亮眼,他還展露出管理的天份。但Shockley不是一個好相處的人,頂著諾貝爾的光環,他不但瞧不起他的屬下,還引進了新奇而怪異的管理方式,比如說同僚評比工作績效,還有用測謊機對付員工。因此,有許多年輕的Shockley員工,早打算另謀高就。以Gordon Moore為首的七個工程師,打算自立門戶,但他們都沒有管理的經驗,於是找上Bob Noyce,這全公司最像經理的年輕工程師。

    這八人,就是矽谷有名的「八個叛徒Traitorous Eight」,他們成立了Fairchild Semiconductor。我們可以說,是Fairchild把矽放在矽谷裡的,因為日後從Fairchild出身的子子孫孫(Fairchildren)共同打造了北加州這片創業樂土。

    待續。

  • 半導體摻雜方式 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文

    2017-06-28 14:30:00
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    #電源設計 #絕緣柵雙極電晶體IGBT #金氧半場效電晶體MOSFET #氮化鎵GaN #碳化矽SiC #寬能隙Wide Band-gap #超接面super-junction #功率因數修正PFC #雙電晶體順向式TTF #邏輯鏈路控制LLC #準諧振返馳式拓樸 #返馳式充電器 #齊納二極體Zener diode

    【超接面,通往寬能隙半導體製程的跳板】

    開關式電源 (Switch Power) 旨在控制開通和關斷的時間點以維持穩定的輸出電壓,一般由脈衝寬度調變 (PWM) 控制 IC 和金氧半場效電晶體 (MOSFET) 構成,輕量、提高工作頻率的耐受度是主要方向;而如何在高壓功率元件獲得良好的崩潰電壓及導通電阻?向來是業界不斷精進的課題。在氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等新一代寬能隙 (Wide Band-gap) 半導體材料未臻成熟前,借助高摻雜濃度的「超接面」(Super Junction,簡稱SJ) 結構,能有效優化上述兩項技術指標、達到節能目的,並突破矽 (Si) 材料極限,故成為新型高壓功率元件的新寵。

    效能和價格固然是採購功率元件的基本準則,但電磁干擾 (EMI) 和射頻干擾 (RFI) 對於系統設計的影響亦不容小覷,否則善後工作會很棘手且耽誤開發時程,設計前應做全方位的考量。就系統角度而言,還須考慮週邊元件的適配度;例如,選用功率密度 (High Density) 高的元件,「扼流器」(Power Choke) 等被動元件的體積亦可隨之微縮。以伺服器為例,可連帶使整個電源模組、乃至機殼外型都更為輕薄,極大化利用有限的資料中心空間。若功率元件廠商能提供多種 RDS(ON) 導通電阻等級和不同封裝方式的「產品組合」,工程師也有更多選擇的可能性。

    在功率因數修正 (PFC)、雙電晶體順向式 (TTF) 和其他硬切換拓樸中,擁有媲美 GaN 性能的 MOSFET,適合高功率開關模式電源 (SMPS) 應用,如:超大型資料中心、電信基地台、太陽能和工業等。此外,整合式本體二極體 (Body Diode) 確保低損耗續流功能,適用於馬達驅動、太陽能或焊接技術領域;而整合齊納二極體 (Zener diode) 的 MOSFET,具備更高的靜電放電 (ESD) 耐受性,可減少良率損失並改善組裝產能。除了導通電阻和損耗問題,封裝亦會關係到負載與電路板空間運用效率以及穩壓效果;溝槽式 MOSFET 模組平台和拓樸,動態損耗更低。

    延伸閱讀:
    《Infineon「超接面製程」為銜接GaN、SiC 材料作緩衝》
    http://compotechasia.com/a/feature/2017/0615/35751.html
    (點擊內文標題即可閱讀全文)

    #英飛凌Infineon #CoolMOS C3/C7/P7 #CoolSiC

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