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半導體摻雜濃度公式
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透明導電薄膜特性及光電元件應用 - 大永真空設備
導電性質 金屬氧化物薄膜的高導電性主要源於帶電的載子(載子濃度)以及可快速移動的路徑(遷移率),傳導帶的電子利用金屬離子的摻雜與氧空缺所提供的施體,作為半導體內部 ...
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