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(12)發明說明書公告本

該半導體基底亦包括各種摻雜區,例如N 型井和p ... 上傳輸閘裝置的驅動電流,其值可表示為公式: ... 和該第二SRAM 晶格16 中的nFinFET在p型井摻雜濃度、.

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