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110年公務人員高等考試一級暨二級考試試題

一、矽半導體於常溫下（300 K）之本質載子濃度（intrinsic carrier concentration） ni 為1.5 × 1010 cm-3 ，均勻摻雜NA(acceptor) = 5 × 1015 cm-3 及.

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