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以溶膠凝膠法製備0.0 ~ 1.0 at.%鈦及2.0 at.%鎵共摻之氧化鋅膜並

氧化鋅摻雜鈦、鎵主要. 目的在調整半導體的能隙值與載子濃度，以便利用於TFT 元件和光電化學元件。研究結果. 顯示：XRD 得知TGZO 薄膜皆屬於多晶之六方晶系纖維鋅礦 ...

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