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半導體摻雜濃度公式
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http://ir.ncue.edu.tw/ir/bitstream/987654321/17468/1/2020600312001.pdf
P 型氮化鎵蕭特基二極體研究
在近幾年中,III -V 族氮化物為主的半導體被廣泛的研究。因為其發光的波長 ... 根據公式(5)模擬的結果得知,在鎂摻雜的氮化鎵其電洞濃度為. 2×1017cm-3.
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