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(PDF) 基本半導體物理| 若涵洪 - Academia.edu

電子能量導帶P 電洞價帶能量 半導體摻雜(impurity doping) ¾ 因為半導體的鍵能 ... 在室溫中，多數載子即所摻雜的dopant 濃度，因此我們有: 2 n 在n-type半導體中： n ...

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