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文化大學機構典藏CCUR

... 極絕緣層，金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和金屬取代多晶矽電閘極。 ... 此外，我們將修改在一個金屬氮的含量來調節有效功函數（eWF）。

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