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102年公務人員特種考試法務

五、計算一理想MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層- p 型矽半導體，設金屬的功函數qΦm =4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為Na =3×10.

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