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哥倫布計畫：半導體-絕緣層-金屬接面之無須摻雜電晶體

用這個假設，如果金屬功函數解除釘札和接近理想的情況下，在圖1(b)的元件電特性表現將被提升，例如給n通道低的WFSD~4.0eV。注意到矽的電子親和力χe=4.05eV，介電常數ε=11.9 ...

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