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行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

一、氮化鎵長在碳化矽(GAN ON SIC)前晶粒製程技術背景介紹. 25. 二、背穿孔製程綜述. ... 率較慢，且需要黃光及基板薄化二個相對複雜的製程，但乾蝕刻可.

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