由於Si越是高耐壓的元件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約2~2.5倍增加),600V以上的電壓則主要使用IGBT(絕緣閘雙極電晶體)。 IGBT因為是傳導度調變,藉由注入 ...
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