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TWI622124B - 溝槽式功率半導體元件的製造方法
一種溝槽式功率半導體元件的製造方法,以形成溝槽內具有遮蔽電極以及閘極電極的溝槽式功率半導體元件。溝槽式功率半導體元件的製造方法中至少包括形成溝槽閘極結構於磊晶層 ...
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