氮化. 鎵和碳化矽半導體在最大功率密度. 下具有非常高的效率,同時開關損. 耗都比矽基半導體低。 在相同規格的典型功率元件. 比較中:傳統Si MOSFET 元件的. 導通損耗是SiC ...
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