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Toshiba開發出業界首款2200V雙碳化矽(SiC) MOSFET模組

... 器等特性• 低漏極-源極導通電壓（感應端）： VDS(on)sense=0.7V（典型值 ... 溫度Tch (°C) 150 隔離電壓Visol (Vrms) 4000 電氣特性漏極-源極導通電壓 ...

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