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再結晶退火
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高溫快速熱退火技術於AM-OLED TFT-Array 之應用 - 材料世界網
而利用高溫快速熱退火方式所生成多晶矽薄膜,其結晶晶粒尺寸較準分子雷射 ... 且具有SPC的均勻性,其再結晶製程時間由SPC的數十小時縮短到數十分鐘。
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「再結晶退火」
的人也找了:
回復再結晶晶粒成長
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快速退火 優 缺點