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THz等級光敏電晶體「擊沉」矽電晶體 - 電子工程專輯.

根據普渡大學的研究，奈米光電晶體(Nano-photonic Transistor)在低溫製程下，可被製造在CMOS上方，進而達成減少5,000倍以上切換時間—即少於300飛秒(fs)， ...

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