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InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光電二極體之TCAD模擬、護環效應與 ...

光偵測器的關鍵特性就在於其足夠小的暗電流與光電流增益。對於前者，我們需要了解暗電流成因以設計足夠小暗電流的元件。對於後者，由於SAGCM平面結構之雪崩光電二極體 ...

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