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以新一代製程設備推進記憶體技術藍圖 - 電子工程專輯

3D NAND製程始於氧化物與氮化物薄膜的交替沉積，接著做硬遮罩沉積並在其上開 ... 雖然目前傳統記憶體在3D製程加持下尺寸更小、密度更大，性能得到很大 ...

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