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含氧/含氮掺雜碳化矽介電阻障層在多層導體連線應用上之研究

目前一種碳化矽(silicon carbide)材料薄膜，具有低的介電常數(k=4~5)，因此受到廣大的 ... 傳統具高介電常數的氮化矽(silicon nitride) (k~8)，以降低導線系統的延遲時間。

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