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二氧化矽蝕刻液
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半導體工藝》濕法蝕刻中不同蝕刻方法和各種蝕刻劑影響的綜述
無論氫氧化鉀溶液的濃度如何,二氧化矽的蝕刻速率隨著溫度的升高而不斷增加。使用33重量%的二氧化矽,在80℃下的最大二氧化矽蝕刻速率為450納米/小時。% ...
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