3. 以BOE蝕刻二氧化矽(SiO2)作為蝕刻遮罩(lab2). 4. 將晶圓切割如下. 1. 2 ... 將圖 3的試片1,2,3 投入TMAH(25%,85°C)蝕刻液中,注意溫度控制與振動.
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