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濕蝕刻矽薄膜厚度即時監控之新穎方法 - 台灣儀器科技研究中心

一二氧化矽層(SiO2) 等，藉由蝕刻選擇性使蝕刻液. 從矽晶片背面蝕刻至二氧化矽層時即停止。以上之. 技術主要特徵為非即時監控濕蝕刻矽薄膜厚度。

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