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二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染!

运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧. 污染情况.结果发现：薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变.

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