本設備為12 吋離子性蝕刻機(Ion Beam Etcher),具備產生離子源. 之後段製程腔體,為一低損傷電漿蝕刻系統之設計,採用離子轟擊方. 式進行惰性金屬薄膜蝕刻,達到一般 ...
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