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北美智權報第110期：TRIZ與半導體製程技術(二)

光阻層22覆蓋於氧化矽20之上，本例的缺點是由靠近晶片邊緣區域12的通道 ... 乾蝕刻製程之後，其通道開口60a與60b的口徑相當一致，同時也無聚合物殘留 ...

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