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幾何形狀對矽感應耦合電漿蝕刻的影響

達1um/min或更快,但是有下面的缺點:蝕刻. 特性與矽晶片方向有關、較大側蝕刻量浪費可. 利用面積、及無法得到高深寬比結構,不適合. 高密度元件開發。第二大類的乾蝕刻技術, ...

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