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乾蝕刻濕蝕刻比較
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半導體製程材料期末解答(1).doc
乾氧化製程:使用高純度的氧氣使矽氧化,速率比濕氧氧化低,但是氧化薄膜的質量比濕氧氧化 ... 對於接觸窗和金屬層間接觸窗孔的蝕刻,較小窗孔的蝕刻速率比大窗孔慢。
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