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乾蝕刻濕蝕刻比較
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https://patents.google.com/patent/TWI624870B/zh
TWI624870B - 用於蝕刻速率一致性的方法 - Google Patents
某些乾蝕刻製程包括暴露基板至一或多個前驅物形成之遠端電漿副產物。舉例而言,三氟化氮的遠端電 ... 將搭配第3圖描述與利用未調節壁所達成之蝕刻速率比較的定性描述。
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