[爆卦]InGaAs PD是什麼?優點缺點精華區懶人包

雖然這篇InGaAs PD鄉民發文沒有被收入到精華區:在InGaAs PD這個話題中,我們另外找到其它相關的精選爆讚文章

在 ingaas產品中有3篇Facebook貼文,粉絲數超過2萬的網紅COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化,也在其Facebook貼文中提到, #電源管理 #圖像感測器 #熱電冷卻器TEC #類比數位轉換器ADC #類比前端AFE 【圖像感測為何需要「熱電冷卻器」?】 色散譜應用中的圖像感測,需要超低雜訊和高位元速率的線性陣列圖像感測器,以實現高靈敏度和高速測量。為降低探測器的暗雜訊並進一步提高測量靈敏度,有必要加裝「熱電...

 同時也有10000部Youtube影片,追蹤數超過2,910的網紅コバにゃんチャンネル,也在其Youtube影片中提到,...

  • ingaas 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最讚貼文

    2019-08-21 06:30:00
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    #電源管理 #圖像感測器 #熱電冷卻器TEC #類比數位轉換器ADC #類比前端AFE

    【圖像感測為何需要「熱電冷卻器」?】

    色散譜應用中的圖像感測,需要超低雜訊和高位元速率的線性陣列圖像感測器,以實現高靈敏度和高速測量。為降低探測器的暗雜訊並進一步提高測量靈敏度,有必要加裝「熱電冷卻器」(TEC)。感測器採樣資料需要具有低雜訊、且快速建立時間的放大器和低雜訊精密類比數位轉換器 (ADC)。

    TEC 需要精密電流控制和限壓,以便精確控制溫度。電源管理電子元件必須能提供 TEC 所需的高功率以及採樣電路所需的低雜訊。最後,良好的印刷電路板 (PCB) 佈局對於避免大功率電源的切換開關訊號對精密採樣電子元件的磁耦合或傳導耦合干擾,同樣至關重要,適用於高性能近紅外線/短波紅外線 (NIR/SWIR) 光譜應用,例如:天然氣和礦物鑑定。

    以往,利用分立電子元件設計一個系統來與這些複雜的高性能感測器連接,一直是個大挑戰,需要仔細權衡尺寸、複雜度與性能。有廠商看中此一需求缺口,提供允許透過 FMC 連接器 (一種多引腳的高密度、高速連接器) 連接到 FPGA 承載卡進行模組化評估;內嵌降壓調節器可將磁性元件整合到內部佈局,進而大幅降低電磁雜訊。

    延伸閱讀:
    《高性能圖像感測器參考設計的核心整合與協作》
    http://compotechasia.com/a/tech_applicati…/…/0809/42524.html

    #亞德諾ADI #μModule #LTM8053 #ADAQ7980 #ADR4550 #ADA4807 #ADN8835 #LTM8053 #HamamatsuPhotonics #G920x #InGaAs

  • ingaas 在 陽光綠屋頂 Facebook 的精選貼文

    2016-11-11 01:35:00
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    #國外新聞 #自己的電自己發

    ✨ 夏普類似技術 ✨

    用於人造衛星和咖啡椅目前,這類三五族半導體/矽材多接合電池的成本仍然高昂,三五族半導體磊晶工程和接合技術等都有成本降低空間。Fraunhofer ISE 的研究人員表示會繼續進行研究,以推動轉換效率 30% 以上太陽能模組問世。

    夏普的化合物三接合電池層疊磷化銦鎵、砷化鎵以及砷化銦鎵(InGaAs)等 3 層吸光構造,並以特殊的穿隧接合層與緩衝層穿插組合其中,使電池可吸收的光譜更廣、吸光效率更高 👍

  • ingaas 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 的精選貼文

    2013-09-11 01:28:13
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    [Free Symposium]2013 NCTU-UC Berkeley I-RiCE Bilateral Symposium on III‐V/Si Heterogeneous Integration for Next Generation Microelectronic Applications

    Time : 09:00 a.m.-17:30 p.m., Friday September 13, 2013
    Location: Conference Room 100, MIRC, National Chiao Tung University(交通大學電子資訊研究大樓國際會議廳)
    Registration : Before September 12, 2013. Please visit http://goo.gl/WuDAxP to register. This Symposium is free of charge.

    Please visit http://www.ee.nctu.edu.tw/News/ShowArticle.php?Number=1043 to find the detailed information.

    Agenda :

    09:00-09:30
    Registration

    09:30-09:40
    Opening Remarks
    Prof. Edward-Yi Chang
    Dean of Research and Development
    Professor, Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering, NCTU, Taiwan


    Session Chair: Prof. Steve S. Chung (NCTU)
    09:40-10:40
    Subject : FinFET and Thin Body Transistor
    Prof. Chenming Hu
    Professor, Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, UC Berkeley, USA

    10:40-11:00
    Coffee Break

    11:00-12:00
    Subject : On the Possibility of a Negative Capacitance Transistor for Low Power Electronics
    Prof. Sayeef Salahuddin
    Professor, Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, UC Berkeley, USA

    12:00-13:30
    Lunch

    Session Chair: Prof. K. N. Chen (NCTU)
    13:30-14:10
    Subject : InAs QWFET for Terahertz and Post CMOS Device Applications
    Prof. Edward-Yi Chang
    Dean of Research and Development
    Professor, Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering, NCTU, Taiwan

    14:10-14:50
    Subject : High Mobility Ge Channel MOSFETs Directly on Si
    Prof. Chao-Hsin Chien
    Professor, Department of Electronics Engineering, NCTU, Taiwan

    14:50-15:10
    Coffee Break

    Session Chair: Prof. H. C. Lin (NCTU)
    15:10-16:10
    Subject : La2O3 Gate Dielectrics for InGaAs Channel: Interface Control and Scalability
    Prof. Kuniyuki Kakushima
    Professor, Department of Electronics and Applied Physics, Tokyo Institute of Technology, Japan

    16:10-16:50
    Subject : Analysis of Germanium UTB/FinFET Logic Circuits and SRAM Cells
    Dr. Vita Pi-Ho Hu
    Assistant Researcher, Department of Electronics Engineering, NCTU, Taiwan

    16:50-17:30
    Closing Remarks

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