我是靠電子學的課本自修, 請幫我看一下以下的問題, 順便修正一下我的理解

假設電路是一個共射極組態, NPN的2N2222A, Vbb=5V, Vcc=10V, Rb=5k, Rc=50
用TINA畫電路

http://imgur.com/5NqS9DP

這時電路是在放大區, 因為
1. 在c-e開路時, Vbe大概是700mV
(問題:為什麼c-e閉路時, Vbe會上升到大概800多mV呢? 多出來的100多mV是什麼?)

2. Vcb=Vce-Vbe>0 (c->b reverse bias)
3. 此時的公式是:
Vbb=IbRb+Vbe
Vcc=IcRc+Vce=IcRc+βIb

要是把Rc換成100, 就會跑進飽和區
1. Vcb=Vce-Vbe<0 (c->b forward bias)
2. 此時的公式是:
Vbb=IbRb+Vbe
Vcc=IcRc+Vce

然後觀察發現, 若把Rb越換越大, 則Ib就越來越小, 雖然輸出也變小了, 但因為Vbe變得更
小, 所以就不容易掉進飽和區, 但是電流太小可能會cut off。

反之, 若是Rc越換越大, 則很容易掉進飽和區。小Rc也會讓β變大,
不過太大的Ic可能會讓電晶體燒掉。

另外, 想請問一下, 當面對一顆型號被磨掉的電晶體(假設是NPN, 腳位確定)
到底是怎麼應用的呢? 我的想法是:

1. 因為電晶體是用輸入電流來控制輸出電流的元件, 所以我會想先決定輸出入。比如說
先決定Vbb=5V, Vcc=10V, Ic=20mA。然後可調電阻接在b上(c-e開路)找出Vbe=700mV的點。

2. 這時候就有Ib=0.86mV跟Rb=5k的值了。然後再接上Vcc和可調電阻在c上, 找出Ic約為
20mA的點, 這樣就可以得到Rc=480了...然後發現電晶體在飽和區上

不知道這樣的作法是否正確, 請看一下, 謝謝

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　　　　　　　　　　　　　　裸になって　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　何が悪い？　　　　　

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