【抓住超級趨勢~投資翻倍賺】
時間：2021/8/8
發文：NO.1290篇
大家好，我是 LEO
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❖產業巨擘投入第三代半導體
八月五日「鴻海」出手震撼市場，宣佈以 25.2億收購旺宏在竹科的 6吋晶圓廠，目標鎖定生產第三代半導體碳化矽SIC元件，鴻海董事長劉揚偉預估，2024年晶圓月產能可達1.5萬片，每月可供應3萬輛電動車的功率元件需求，藉此讓台灣在電動車產業取得世界領先地位，LEO認為這只是第一步，到2030年全球電動車年銷售估計超過 5500萬輛/年，這是很棒的大願景但是該如何築夢踏實呢?
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鴻海以代工起家，蘋果光在中國紅色供應鏈的搶單與蘋果供應商分散策略下，逐漸退色，一代霸主開始尋找新的舞台，跨入電動車領域成立MIH車電大聯盟，意圖掌握新一代電池材料研發，與車用晶片領域—跨入第三代半導體，每一步都瞄準未來十年產業趨勢，眼光相當精準。
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台灣最早跨入第三代半導體領域的漢磊(3707) 歷經10年練兵後，終於在今年第二季EPS由虧轉盈繳出 $0.13元的成績，上半年財報EPS $0.07元，世界先進佈局超過 4年，今年下半年才開始小批量生產，台積電2017年與納微半導體(Navitas)合作-它是世界上第一家生產氮化鎵(GaN) 功率IC的公司，2013年成立於美國加利福尼亞州，2020年台積電與意法半導體共同宣布加速市場採用氮化鎵產品，市場趨勢成形，穩懋、全新、宏捷科、環球晶、晶成半導體、盛新材料(太極持有64%)、穩晟材料(大股東-矽力杰、中砂)都耕耘已久，鴻海憑什麼快速克服前期漫長學習取線？
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❖借力使力-彎道超車
鴻海取得旺宏 6吋廠後，預計後續還要砸下數十億投資生產第三代半導體設備，錢對鴻海來說並不困難，關鍵是「生產設備的參數」，整個半導體產業最重要的源頭就是上游的「長晶」，掌握「碳化矽基板者得天下」。汽車用的第三代半導體SIC晶圓叫做N型(導電型)，應用在5G通訊用的SIC叫做SI(半絕緣型)，盛新材料是國內唯一，可以同時量產N型SIC與SI型SIC晶圓的公司，因為它直接技轉中科院的技術與人才，就好像資質平庸的武道家在偶然機遇下拿到一盒充滿靈氣的上品混元丹，免去漫長的試誤法，加上自身的後天努力取得正確的關鍵參數直接晉升一代武學宗師。
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它厲害的地方在於 1.生產SIC晶圓的晶種是自己做的(成本低)，2.在超過2000度的長晶爐裡，精準掌握熱場、流場、電性均勻度控制，用X光檢測晶體乾淨品質佳，媲美國際大廠水準，3.廣運(6125)集團母公司掌握自製機台，成功在5RUN完成熱場測試，製成調整，產出 6吋N型SIC晶錠，換句話說-這代表掌握新機台快速大規模量產的關鍵。
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如果鴻海找上廣運(6125)添購設備、盛新材料購買晶種，取得關鍵生產參數，掌握最上游的長晶後，包含IC設計、晶圓製造、到後段封測將可提供一條龍服務。
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❖鴻海5G戰略背後的佈局
鴻海旗下工業富聯（FII）斥資39億元增資旗下蘭考裕展智造科技，增產5G小型基地台與模組等產品，意圖擴張中國大陸5G設備市占率，在日本方面夏普推出小規模用5G設備，搶攻日本工廠與辦公室市場，售價是目前市價的五分之一，可望在日本市場攻城掠地。
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在台灣鴻海旗下亞太電信與遠傳電信 5G 共頻共網，未來電動車、自駕車的發展也與5G網路息息相關，這跟第三代半導體又有什麼關聯呢？原來SI半絕緣型SIC它的特色是：可以提高射頻及PA元件的功率，熱傳導性與電場擊穿係數，較「矽元件」提高十倍以上的功率密度，非常適合應用在新一代5G通訊，自動駕駛交通工具，以及雷達衛星系統，LEO相信鴻海走這一步棋是經過縝密籌畫的結果。
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❖第三代半導體小知識科普
到底SIC長晶有多難？ 碳化矽長晶時，晶種放在石墨坩鍋根本無法觀察長晶情況，因為溫度高達2000度以上，打開就注定壞掉，原料都無法重覆使用，每一爐 7天才能生長 2公分厚度，SIC有 200多種晶態，要在高溫高壓環境長出6吋晶錠是非常困難的一件事，等於是矇著眼睛射飛鏢，到底有多難要比較才知道，矽晶圓3~4天可以長 200公分，長晶溫度約 1400度，量產尺寸最大 12吋，碳化矽SIC長晶 7天只長2公分，溫度 2200~2500度間，目前主流為 4~6吋。
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盛新材料的良率為何比其他競爭對手高？困難點在於不管4吋 6吋,所有的晶型與晶向都要一致(SiC有兩百多種晶型),一般要4H晶型,其他廠商拿箭瞄準射靶,射中就是良品,沒射中就失敗,盛新則是從機台到材料、熱場、製程、電性控制,以"軌道"的概念,穩穩地把箭輸送到靶心上,良率自然高可以跟世界級大廠匹敵。
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經過 LEO的分享，相信大家知道「碳化矽長晶」與「矽晶圓長晶」是截然不同層次的技術，所以價格差距也相當驚人，注意喔 12吋矽晶圓大約100美元/片，4吋碳化矽晶圓大約 1000~1200美元/片，6吋碳化矽晶圓更恐怖約 2500~3000美元/片，更誇張的是5G通訊用的半絕緣型SI價格又是電動車用N型碳化矽的 3倍左右，所以，同時掌握N型與半絕緣型碳化矽長晶技術的盛新材料與自製長晶爐設備廣運(6125)我的研判，也許不一定是現在，但有朝一日將成為產業界的明日之星。
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天佑台灣，疫情早日結束❤️

#電源設計 #功率器件 #寬能隙WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #氧化鎵Ga2O3

【GaN 憑什麼躍然而起？】

氮化鎵 (GaN) 市場可概略分為光電和功率兩大塊，現階段，在發光二極體 (LED)、射頻 (RF) 元件和無線充電較具優勢，在 LED 照明和顯示器等光電領域擁有高滲透率；但著眼於它能最小化功率損耗並具有小型化、高速開關和高擊穿電壓等特性，今後功率半導體的成長空間相對更大，初期鎖定「低電壓之高階產品」。

隨著技術推進、工作電壓拉高，未來在新能源、智能電網、資通訊設備和消費電子前景看俏，無線和自動化設備發展以及汽車 GaN LED 汰換潮，將成為推動氮化鎵的主力。GaN 理論上能以高於碳化矽 (SiC) 的速度進行切換、實現高速開關操作，確保電氣系統的高效率操作；物理學家表示，如果將具有高擊穿電壓和低導通電阻的氮化鎵，推廣至所有電子設備，全球用電量可減少 10～25%！

GaN 的低導電性能以緊湊尺寸維持高能量應用，進一步實現電路小型化或在同一區域擠進更多的氮化鎵。用一個淺顯易懂的形容，就是能把筆記型電腦 (NB) 原本大如磚塊的笨重充電器，精簡至一盒餅乾大小，更加輕巧、方便攜帶。此外，光達 (LiDAR) 改用增強型氮化鎵 (eGaN) 晶片感知環境的精度可以「吋」計算，較矽晶片只能明確至 10 呎以內表現更佳。

特別一提的是，氮化鎵對離子輻射靈敏度低，極適合作為衛星的太陽能電池陣列材料或應用於超音波、核磁共振成像 (MRI) 和結腸鏡檢查外科手術等醫療設備，在輻射環境相對穩定亦有利於航太和軍事——GaN 已被歐洲太空總署 (ESA) 認定為「關鍵使能技術」；美國國家航空暨太空總署 (NASA) 亦資助氮化鎵研究以支援水星和金星的探索。

當人們還在掙扎什麼情境下值得採用 GaN？新的強勁對手已悄然出現。美國國家可再生能源實驗室 (NREL) 拋出一個震撼彈：未來「氧化鎵」(三氧化二鎵，Ga2O3) 的成本可能更低！考慮諸如晶體生長和晶錠加工之類的因素，氧化鎵晶圓成本比 SiC 便宜 3～5 倍，且晶圓尺寸較 GaN 更容易擴大，可能為現有的矽、碳化矽和氮化鎵技術提供互補，應用在 AC-DC 轉換等低頻、高壓應用。

延伸閱讀：
《氮化鎵：輕巧、耐熱、高速開關，節能一把罩》
http://compotechasia.com/a/feature/2019/0409/41524.html
(點擊內文標題即可閱讀全文)

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英特爾半導體技術落後台積電3年。
聖域被打破，電腦業掀起滔天巨變。
　
結合蘋果、微軟、AMD等大廠，張忠謀口中的大同盟發揮作用，台積電聯盟逐一擊破英特爾優勢。
　
《天下》總編輯吳琬瑜：
台灣半導體的大時代。不只是台積電對台灣股市動見觀瞻；又是地緣政治中的青冥劍，各國極欲爭取，納為己派，成為屏障台灣國安的籌碼。
　
未來三年，更上層樓，一起來看台積電如何再飆三年！
　　
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天下雜誌video製作 製作人／李洛梅 採訪／陳良榕、黃亦筠 企劃／蔣岑苹 視覺統籌／俞子堯
　　
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