※ 引述《goost (雪紡紗好美.可我不適穿><)》之銘言：
: 請問各位化學高手 ~ 或是在半導體廠工作的各位先進~
: 一般我們所熟悉的半導體蝕刻製程..
: 都是用 HF 來溶解 矽晶圓表面的氧化物 SiO2
: 但應該是無法溶解 矽基材的部份
: 目前我的實驗遇到一個問題...
: 若我今天想要直接溶解 純矽原料 (Si) ~
: 是否有適當的溶劑 可以把純矽 溶解呢??
: 另外 KOH 或 NaOH 也是常見蝕刻液的一種
: 我在書上找到他的反應方程式為 ~
: Si + 2KOH + H2O → K2SiO3 + 2H2
: 那倒底 鹼液蝕刻是對 SiO2 有作用 還是 純Si 有作用呢??
: 若是對純矽有作用的話 ~ 那我是否就可以拿 KOH 來溶解 Si wafer 嚕???
: 先感謝大家給我的指教喔
KOH溶液的確可以將silicon直接反應掉或是"溶掉"
他對於silicon 或是silicon dioxide都有作用
但是反應速度很慢 所以你真的要使用KOH
必須要加熱和添加雙氧水加速反應
不過還是很慢 可能需要一整天
最快的就是使用硝酸和氫氟酸的混酸下去做
長晶廠如果要分析晶片內部真實的金屬雜質含量
或是silicon niride和silicon carbide等東西的時候
的確會使用混酸去將晶片反應掉 或你所謂的"溶掉"
我曾經使用過"CP4"將晶片溶掉 硝酸:氫氟酸是3:1(沒記錯的話)
這個比例是個大約 因為指要硝酸多於氫氟酸就可以了
但是比例差異性不要太大
另外如果真的要使用這個配方
記的千萬要在"抽氣正常"的hood裡面做
因為反應非常劇烈 紅褐色的NOx氣體很多
如果你不趕時間 可以在混酸裡添加醋酸或是DI水
當buffer讓反應速度慢一些
不過當混酸溶液變成紅褐色 接近紅黑色的時候
代表混酸的反應劑已經不夠了
所以要換新的溶夜在繼續反應
要不然就是溶液和silicon的比例就要大一些
最後要提醒的是 請小心 這個混酸的反應真的很劇烈
產生的NOx量真的很多


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