鴻海、比亞迪、IDM風雲會　布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導

新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。

特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。

IDM廠轉向8吋廠生產　凸顯領跑者角色

儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。

而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。

英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。

IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。

比亞迪、鴻海各自出招　共逐EV、第三代半導體大計

鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。

新世代化合物半導體潛力高　新護國神山待醞釀

事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。

整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。

隊長資料整理：

TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。

漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產

SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高

漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
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【陳鳳馨 #財經起床號】星期一 (9/13) 早上八點特別專訪《天下雜誌》總主筆陳良榕剖析「12 吋晶圓廠，進駐高雄五輕舊址！台積電翻轉鐵鏽之城」一年內從不看好到拍板設廠，台積為何急轉彎？🎧 歡迎 #收聽廣播 #收看直播 >> https://youtu.be/EUnF_eSYfVk
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首播／2021-09-13 Mon 08:00
重播／2021-09-13 Mon 23:00
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主持人：陳鳳馨
來賓：《天下雜誌》總主筆 陳良榕
主題：台積電翻轉鐵鏽之城｜12 吋晶圓廠，進駐高雄五輕舊址
節目時間：週一至週五 7:00-9:00am
本集播出日期：2021.09.13

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💡 延伸閱讀 https://www.cw.com.tw/article/5117992 為了台積，十倍速極限趕工。整治史上最大污染場址，魔王關卡是？

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蘋果(AAPL)股價在禮拜三大跌6.57%，不過台灣蘋概股卻是利空不跌，其中股王大立光(3008)開低後就一路拉升，接連收復2100元及2200元的整數關卡，最高還衝到2285元今年以來最高價，頗有挑戰季線2307元的氣勢，終場大漲100元，漲幅4.63%以2260元作收。蘋概四雄除了大立光大漲之外，可成(2474)也上漲2.91%收在230元往月線逼近，不過組裝兩大龍頭和碩(4938)及鴻海(2317)表現稍弱，但跌幅也都沒有超過1%。台積電(2330)申請赴中國設12吋晶圓廠，經濟部投審會已排定2月3日召開委員會議討論，市場認為此案沒有中資參股，過關機率高；昨日股價於138~140元之間高檔區間震盪，終場小漲0.36%以140元作收。而前天舉行法說會的晶圓二哥聯電(2303)去年第四季每股純益0.25元優於預期；去年全年每股純益1.08元，為近五年高點；今年聯電首季營運展望持平，全年在28奈米產能提升及車用半導體應用增加下，展望樂觀，盤中亮燈漲停，收盤大漲8.97%以12.75元作收，可惜盤中收復的年線最後得而復失。IC設計瑞昱(2379)則是在本周二26日舉辦法人說明會，受惠手機客戶端拉貨動能推升，瑞昱對於第1季營運展望表示樂觀。此波動能主要來自於非PC端，占整體營收的60%，今年元月以來，三大法人合計買超萬張以上，昨日股價大幅上漲7.42%收在最高82.5元，成交量能同步增長到前日的三倍量以上達11,169張。機上盒晶片廠揚智（3041）股價更是衝上漲停板21.65元，主要是意法半導體去年營收衰退逾6.8%，為整頓產品線，宣布將終止機上盒，並暫停研發和家庭閘道新平台相關產品，昨日消息一出，市場預期出現轉單效益，揚智股價率先表態。至於原先的強勢族群網通股則呈現拉回整理，智邦(2345)下跌2.06%以35.6元作收；仲琦(2419)跌幅3.46%收在20.9元；建漢(3062)也下跌超過3%。
金融股(TSE28)昨天也扮演撐盤要角，包括兆豐金(2886)、第一金(2892)、合庫金(5880)、永豐金(2890)、新光金(2888)、國票金(2889)漲幅都在1%以上。安泰銀(2849)更以3.76%的漲幅居冠。
春節連假進入倒數，吃喝玩樂、除舊布新和返鄉送禮有機會締造億元商機。昨日部分概念股已經領先表態，雄獅(2731)收高3.4%朝百元大關挺進，好樂迪(9943)、統一超(2912)和F-美食(2723)也有逾1%漲幅，下周起受惠農曆過年長假，可望再創不錯業績。F-淘帝（2929）則是在中國二孩政策帶動下，今年營運表現可期，吸引買盤推升股價一度來到122元，收盤漲幅逼近4%。紡織股后聚陽(1477)去年EPS達13.58元，今年營運持續受外資看好可望延續好表現。昨日股價勁揚將近5%，長紅棒強勢突破月線並一度攻過季線。F-亞德(1590)則是一次成功收復月線跟季線表現更強勢，瑞信證券科技產業分析師蘇厚合指出，F-亞德受惠需求回溫，毛利率、營運轉佳，預期營業利益率也會在下一季開始升溫，將步出先前的營運寒冬，因此調升投資評等至「優於大盤」，推測未來12個月合理股價166元。F-亞德昨日以152元漲停板作收。F-亞德除營運回溫的基本面帶動之外，根據過去本益比歷史區間為12倍至26倍觀察，目前本益比僅13倍，幾乎來到最下緣，因此投資價值也是F-亞德的優勢之一。工具機雙雄F-亞德與上銀(2049)過去一、二年以來，深受全球景氣復甦疑慮及中國大陸市場需求下滑衝擊，股價都出現超過50%的嚴重回檔。當股價探底後，外資圈主流意見目前偏好F-亞德基本面將帶動股價走強，但對上銀還是多持保留態度。

針對海研五號觸礁原因，目前都在航港局調查中，鄭麗君表示，海研五號具有水密隔艙設計，如果發揮感應器自動化功能可能避免沈船，就算在最嚴重情況也可能延遲沉沒時間而增加逃生機會；沒人願意看見沈船悲劇，也尊重專業調查，但鄭麗君提醒科技部，相關問題不能用「尊重專業」迴避課責，請科技部在預算審議且在法律範圍內以科學專業態度，明確地解釋海研五號事故調查的進度。
鄭麗君指出，海研五號事故對海洋中心年度工作計畫的全面衝擊，顯示了「海洋中心」的不足，我國唯一國家級海洋專門研究單位的業務卻都只環繞在實驗室、實驗船與實驗網的運作，這些固然重要，但海洋研究的豐富性卻遠多於此；若要達到海洋中心的主要任務，勢必得把海洋政策、海洋法、海洋資源開發、海洋保育等研究能量與各大專院校整合；另外「水下文化資產保護條例」雖歸屬在文化部，但文化部可能缺乏專業能量而無法保護文化資產，此時科技部所屬的海洋中心就能妥善協助文化部進行評估。
目前我國對於半導體赴中國投資的審查規範中，是在大陸地區投資晶圓鑄造廠積體電路設計積體電路封裝積體電路測試與液晶顯示器面板廠關鍵技術審查及監督作業要點。以聯電的申請案，目前聯電最新製程為南科12吋廠的28奈米，而到中國參股的12吋廠使用的是40與55奈米，雖是成熟技術，但半導體業的現象是尺寸的推進不固定、製成推進較規律；比12吋更先進的18吋晶圓廠，廠商也得在明年底才進入風險生產階段，因此貿然將40與55奈米當成落後28奈米一個世代以上，其實有極高的風險。台灣的半導體廠商到中國投資，科技部也是關鍵技術小組的成員，請部長好好為台灣的科技業把關。
(備註：民進黨執政時為開放八吋晶圓到中國投資，所制定的｢晶圓廠赴大陸投資有效管理機制｣中，其管理套案由當時的國科會辦理者，包括｢配合大陸投資政策， 強化設備出口管制措施｣、｢政府機構研發成果及科專計畫之管制｣、｢對附屬於管制出口設備之智慧財產權輸出，須經主管機關許可｣、｢大陸投資案件之技術移轉, 須經專案審查｣、｢督促民間企業實施忠誠條款及保密協定並有效管制電子郵件外流｣、｢研議訂定國家科技保護專法｣、｢適當管制高科技人才外流｣、｢半導體產業輔導措施｣等)