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[爆卦]功率單位si是什麼？優點缺點精華區懶人包

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在 功率單位si產品中有4篇Facebook貼文，粉絲數超過2,646的網紅國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所，也在其Facebook貼文中提到， 「2020功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇」系列活動-「學生論文海報競賽」徵稿 詳情請參 https://2020-poster-competition2.webnode.tw/ 一、競賽緣起： 全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽...

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  • 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所

    功率單位si 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 的最讚貼文

    2020-06-18 14:37:08
    有 13 人按讚

    「2020功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇」系列活動-「學生論文海報競賽」徵稿

    詳情請參 https://2020-poster-competition2.webnode.tw/

    一、競賽緣起：
    全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案，進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2020功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。

    二、主辦單位：國家中山科學研究院、台灣經濟研究院、高功率元件應用研發聯盟

    三、時間：109年10月28日(三)

    四、地點：交通部集思會議中心—國際會議廳(臺北市杭州南路一段24號)

    五、報名資格：全國大專院校大學生及碩、博士生(含109學年度畢業)

  • COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化

    功率單位si 在 COMPOTECHAsia電子與電腦 - 陸克文化 Facebook 的最佳貼文

    2018-11-14 14:30:00
    有 60 人按讚


    #物聯網IoT #人工智慧AI #區塊鏈Blockchain #概念驗證POC #矽光學 #奈米生技醫療 #腦機介面 #無線充電 #影像感測器 #射頻RF #功率元件 #氮化鎵GaN #碳化矽SiC #霧運算平台 #邊緣運算

    【從 1 到 N，問鼎市場的第一步】

    除了廣為人知的「比利時微電子研究中心」(IMEC)，「法國原子能委員會電子與資訊技術實驗室」(CEA-Leti) 是歐洲另一享譽國際的技轉實驗室，曾被路透社評選為「2017 全球最具創新能力研究機構」第二名、身懷逾 2,760 項專利。相較於從創意發想源頭涉入的技轉單位，CEA-Leti 花費更多心力在實務操作上，旨在為學術研究及產業應用搭橋、協助實現概念驗證 (POC) 過渡到產業量產階段的展示及原型製作，尤以多元微型化 (miniaturization) 和能源效率 (energy-efficient) 見長。

    與意法半導體 (ST) 在矽基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率二極體和電晶體切換元件製造技術的合作就是一例，旨在滿足高效能、高功率應用需求，包括混合動力和電動汽車的車載充電器、無線充電和伺服器。另為因應物聯網 (IoT)、人工智慧 (AI)、雲端、邊緣和智能合約等新興趨勢，CEA-Leti 亦致力將其開源「SensiNact IoT 平台中介軟體」用於發展安全的區塊鏈 (Blockchain)，冀使成為去中心化的「霧運算平台」核心，為隨需 (on-demand) 邊緣運算打造全新生態。

    延伸閱讀：
    《POC to Production，CEA-Leti 扶持技術創新》
    http://compotechasia.com/a/tactic/2018/1030/40249.html

    #法國原子能委員會電子與資訊技術實驗室Leti #國家實驗研究院NARLabs #國家晶片系統設計中心CIC #國家奈米元件實驗室NDL #意法半導體ST #奈米電子技術研究所IRT #SensiNact中介軟體 #DeCenter專案

  • 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所

    功率單位si 在 國立陽明交通大學電子工程學系及電子研究所 Facebook 的最佳貼文

    2018-07-12 13:48:44
    有 14 人按讚


    2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇
    2018 Symposium on High Power Semiconductor Materials (GaN & SiC) and Devices
    學生論文海報競賽徵文啟事
    Poster Competition

    一、 會議主題：
    全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案，進行高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2018功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。
    二、 會議時間：107年10月18日(四)
    三、 會議地點：集思交通部會議中心－國際會議廳(台北市杭州南路一段24號)
    四、 主辦單位：國家中山科學研究院、台灣經濟研究院
    五、 學生論文競賽主題說明
    (1) 功率電子元件技術:
    本主題範圍涵蓋各類功率電子元件的最新發展與新型材料元件應用研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子相關之技術、新型材料、物理與可靠性分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 高電子遷移率材料; (2) 功率電子元件製造技術; (3) 元件結構設計與模擬; (4) 元件可靠性分析與壽命預估。
    (2) 功率電子封裝與功率模組應用技術:
    本主題範圍涵蓋功率電子元件之散熱封裝及電源轉換功率模組應用技術研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子封裝設計與模擬、電路構裝散熱分析與量測；以及碳化矽/氮化鎵功率模組/電源轉換應用相關之模組電路架構設計與製造、應用電路效能分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 功率電子封裝材料; (2) 模組構裝散熱分析與量測; (3) 功率模組設計技術; (4) 電源轉換器應用研發。
    (3) 新穎功率半導體材料與元件分析技術:
    本主題範圍涵蓋功率電子材料或元件相關之檢測分析及檢測技術最新發展與應用，包含(但不限定)以下領域之論文：(1) 材料影像分析技術：SEM、AFM、C-AFM、SCM、STM、SSRM、MFM、TEM 及 SNOM; (2) 材料晶體結構分析技術：TEM 及XRD; (3) 材料成分分析技術：EDS、AES、XPS、SIMS 及 FTIR。
    六、 投稿原則：
    (1) 欲投稿者請先至下列網址登記：https://goo.gl/qGt1fF
    (2) 格式：論文以中英文撰寫均可、A4紙 single-space two column、字體大小10之格式打字，圖、文合計以4頁為限。
    (3) 投稿方式：一律以 pdf 格式投稿至E-mail: d32955@tier.org.tw。
    (4) 日期：即日起開始受理投稿；徵文截止日期至2018年8月24日；預計2018年9月10日前通知論文審查結果。
    (5) 發表方式：本次競賽之投稿論文皆以壁報方式發表，中、英文解說皆可。
    (6) 論壇當日將會進行投稿者之論文海報展覽，請自行設計並輸出海報(海報尺寸將會另行告知)，並於會議當日指定時間至現場張貼，並於海報交流時間於自己的海報前為與會者及評審提供解說。
    Post time: 2018年10月18日(星期四)10:40~11:10
    七、 評分方式：
    評分項目將分為論文內容（ 60% ）與現場答詢（ 40% ）兩部分，分別由兩組評審委員給分之總和為該論文之總得分，得分由高至低排序，若總得分相同，則由原創性部分的得分高低決定名次之先後次序。
    八、 獎勵方式：
    各主題將不分領域擇優評選取前6名，頒發獎狀及獎金以玆鼓勵，並於論壇會閉幕時頒獎。
    (1) 頭等獎：獎金10000元，一名
    (2) 特優獎：獎金6000元，二名
    (3) 優等獎：獎金3000元，三名
    九、 聯絡人：
    (1) 台灣經濟研究院 李宜軒 副組長
    電話：02-2586-5000 #808
    EMAIL：d32955@tier.org.tw
    (2) 台灣經濟研究院 黃威菁 行政助理
    電話：02-2586-5000 #875
    EMAIL：d33581@tier.org.tw

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