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CMOS設計手冊—基礎篇
堆積(VGS<<Vth). 當VGS<0,來自襯底移動的空穴被吸引(堆積)到柵氧層的下方。當MOS管處於堆積區時,柵極到地的電容Cgb的主體部分經過了襯底的大 ...
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