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奈米CMOS元件不均勻 - 政府研究資訊系統GRB

其二是利用電流雜訊量測法（ID-RTN），探討各種strained-Si 元件，Hot carrier stress 效應下，RTF(Random Trap Fluctuation)導致的Vth Variation 及可靠性的關聯性。

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