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以高性能SiC MOSFET設計電力電子

但值得注意的是，由於絕對摻雜密度較高，即使在成熟狀態下，碳化矽MOSFET的實際溫度係數也會低於相同阻斷電壓下矽元件的實際溫度係數。此外由於漂移區對總 ...

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