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P-N 接面二極體P-N Junction Diode

D T/. kV s. D. -. = 其中，Is 為反向飽和電流 k=11,600／η ... 發電位，以VT 表示，VT=0.7V（Si）、VT=0.3V（Ge ）。 二、P-N 接面施加反向偏壓. 當半導體二極體的P ...

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