本发明涉及一种尤其适用于纳米FinFET场效应晶体管的阈值电压提取方法,包括:选择三点不同漏-源电压Vds,将栅-源电压Vgs从-0.5伏扫描到+1.5伏,测试出场效应晶体管的 ...
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