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以晶圓接合與基板移除技術研製外部共振腔式短波長面射型元件(I)

然而關於RCLEDs與VCSELs，由於以磊晶方式成長GaN 系列之布拉格反射鏡(DBR)受限於AlN/GaN 需高的磊晶成長溫度，且兩者晶格常數不匹配與熱膨脹係數差異不小，導致此類型磊晶 ...

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