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質子佈植應用於長波長1.31µm VCSEL 之研製(2/2) 計畫編號

中文 摘要. 於本計畫中，由於氮摻雜量若過高(>0.5%)的N-InGaAs，其品質 ... 長波長1550 nm 面射型雷射（VCSEL）晶片的下DBR 和InGaAsAs 的.

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